SWR330AはMOS-FET、IGBT用のR負荷スイッチングタイム測定器でソフトウェアとの連動により、 オシロスコープの波形を取り込み良否の判定を行います。

SWQR550はR負荷スイッチングタイム測定のほかに、ゲート容量(QG)測定機能を併せ持っています。 ただし、各測定の特性を重視しているため、R負荷スイッチングとゲート容量の連続測定は行えません。

IGBTの誘導負荷によるスイッチング特性および短絡時におけるエネルギー耐量を試験するシステムです。 最大6素子までの測定を可能としています。

SWS1530ZZは、IGBT、MOS-FET、ダイオードのスイッチング特性、及び短絡耐量を測定する装置です。 低耐圧より高耐圧領域、また、温度環境-40℃～175℃まで自動で測定可能です。

GST650Zは、MOS-FETやダイオードの逆回復波形や破壊波形をオシロスコープから取り込み、 ソフトウェアでdi/dtを求めその特性を判定します。OPEN/SHORT試験、ドライバーチェック機能もあり 信頼性を向上させています。

LVNI20ZFCAは、MOS-FET専用のL負荷試験器で、ウェハ状態での測定に対応したシステム構成となっています。 チップ破壊時の高速遮断回路を装備するとともに、IGSS、IDSSの測定回路を実装しており、 L負荷試験前後のリーク測定も可能としています。

LVTG20Zは、トランジスタ、MOS-FETのインダクタンス負荷時でのスイッチング動作に対する耐量を、 ターンオフ波形の電流と電圧のエリアで保証する試験器です。クランプ電圧が装備されているため 各耐圧での細かな耐量を調べることができます。