動特性試験器

  • 生産から開発・評価まで幅広い用途に合わせたラインアップ。
  • 高圧 ・ 大電流 そして高速化する中であらゆる環境に対応する製品開発を目指しております。
  • 測定温度-60~300℃までの環境で評価できるシステムも開発済み。
  • SiC、GaN新素材の経験も豊富。

スイッチングタイムテスター【MOS-FET, IGBT】

SWR330A
SWR330A

SWR330AはMOS-FET、IGBT用のR負荷スイッチングタイム測定器でソフトウェアとの連動により、 オシロスコープの波形を取り込み良否の判定を行います。

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スイッチングタイム&ゲート容量テストシステム【MOS-FET, IGBT】

SWQR550
SWQR550

SWQR550はR負荷スイッチングタイム測定のほかに、ゲート容量(QG)測定機能を併せ持っています。 ただし、各測定の特性を重視しているため、R負荷スイッチングとゲート容量の連続測定は行えません。

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スイッチングタイムテストシステム【MOS-FET, IGBT】

SWS1240ZZF
SWS1240ZZF

IGBTの誘導負荷によるスイッチング特性および短絡時におけるエネルギー耐量を試験するシステムです。 最大6素子までの測定を可能としています。

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スイッチングタイムテストシステム【MOS-FET, IGBT, DIODE】

SWS1530ZZ
SWS1530ZZ

SWS1530ZZは、IGBT、MOS-FET、ダイオードのスイッチング特性、及び短絡耐量を測定する装置です。 低耐圧より高耐圧領域、また、温度環境-40℃~175℃まで自動で測定可能です。

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di/dtテスター【MOS-FET, DIODE】

GST650Z
GST650Z

GST650Zは、MOS-FETやダイオードの逆回復波形や破壊波形をオシロスコープから取り込み、 ソフトウェアでdi/dtを求めその特性を判定します。OPEN/SHORT試験、ドライバーチェック機能もあり 信頼性を向上させています。

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リーク電流測定機能付きL負荷テスター【MOS-FET】

LVNI20ZFCA
LVNI20ZFCA"

LVNI20ZFCAは、MOS-FET専用のL負荷試験器で、ウェハ状態での測定に対応したシステム構成となっています。 チップ破壊時の高速遮断回路を装備するとともに、IGSS、IDSSの測定回路を実装しており、 L負荷試験前後のリーク測定も可能としています。

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L負荷テスター【TRANSISTOR, MOS-FET】

LVTG20Z
LVTG20Z"

LVTG20Zは、トランジスタ、MOS-FETのインダクタンス負荷時でのスイッチング動作に対する耐量を、 ターンオフ波形の電流と電圧のエリアで保証する試験器です。クランプ電圧が装備されているため 各耐圧での細かな耐量を調べることができます。

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製品情報


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