過渡熱抵抗テストシステム

  • 半導体内部の熱抵抗バランスを測定する高信頼性測定器。
  • 高輝度LED等 SiC 製品にも対応。
  • 豊富な経験と実績よりソフトウェアまで含めたシステムを提案します。

過渡熱抵抗測定器【MOS-FET, IGBT, DIODE, SCR】

DDVF030ZZ
DDVF030ZZ

DDVF030ZZはIGBT、MOS-FET、ダイオード、サイリスタの測定を可能とし、最大3200A(1ms)の印加能力を持っています。 さらに9999回のリピートテスト機能を持ち、デバイスのスクリーニングを可能としています。

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過渡熱抵抗測定器【MOS-FET, IGBT, DIODE】

DVFN1030Z
DVFN1030Z

1000Vシリーズの熱抵抗テスターでは最大となる300A対応のシステムです。なお、P極対応は99Vまでとなります。

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過渡熱抵抗測定器【TRANSISTOR, MOS-FET, IGBT, DIODE】

DVFN240AT
DVFN240AT

DVFN240ATは自己診断機能を内蔵しているモデルで、GP-IB I/Fにより VDS、ID、IMの各アイテムの印加チェックを行うことができます。

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過渡熱抵抗測定器【MOS-FET, IGBT, DIODE, SiC-DIODE】

THR1010Z
THR1010Z

THR1010Zは1000V, 100A仕様の熱抵抗テスターで、パワーエリアと装置サイズの使い勝手の良さから、 数多くのユーザー様に使用頂いているモデルです。安全カバーも標準装備となっています。

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過渡熱抵抗測定器【MOS-FET, IGBT, DIODE, SiC-DIODE, THERMAL-DIODE】

THR210ZB
THR210ZB

THR210ZBは恒温槽やチラーとの連携を考慮した熱抵抗測定システムで、冷却水の温度や流量情報を管理し ソフトウェア上に表示します。SiCダイオードの測定にも対応し、VF電圧の高い特性に対応した広い ダイナミックレンジを備えています。

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過渡熱抵抗測定器【IGBT, DIODE】

DVIPM60Z
DVIPM60Z

IPM用の熱抵抗テスターとして開発された最大印加600Aのシステムで、最大14素子までの測定に対応しています。 また、測定素子とシリアル通信にて、素子の情報を管理することができます。

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GaAsパワーデバイス解析装置【GaN-FET】

DGV320
DGV320

DGV320はGaAs専用の過渡熱抵抗テスターで、DGVシリーズで最大の電源スペックを持っています。 測定部はヘッドボックスタイプになっており作業性に優れています。

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GaAsパワーデバイス解析装置【GaAs-FET】

DGV-J10
DGV-J10

DGV-J10はVD電圧を100Vにアップし、200Wまでの電力印加を可能とします。 パワータイムは9.99sec、ΔVGSを0.1mV分解能で測定します。

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LED過渡熱抵抗測定器【LED】

DVLE-C05
DVLE-C05

DVLE-C05は最大10素子までのLEDを切り換えて連続測定ができます。 パワータイムは9.999sec、VFは最大32Vまで表示します。

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製品情報


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