静特性テストシステム

  • 高圧・大電流に対応したシステム。

半導体テストシステム/スイッチングタイムテストシステム
【MOS-FET, IGBT, DIODE】

CHT2020ZA/LVNJ20ZFCA
CHT2020ZA_LVNJ20ZFCA

本器は、プローバーでのウェハ測定を考慮した、オーバーヘッド機構の測定部により、DC測定とL負荷測定を連続でできるテストシステムです。 L負荷測定での異常波形検出時は、ヘッドボックス内の保護回路により、高速で電源を遮断する機能が装備されています。

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半導体テストシステム【TRANSISTOR, MOS-FET, DIODE】

CHT3050Z/SWL1050Z
CHT3050Z_SWL1050Z

本システムはウエハ評価用のテストシステムで、DC特性とスイッチング特性を一度の測定で行うことができます。 また加圧制御機構も装備し測定プログラムで任意に制御することができます。 波形確認用のオシロスコープは内蔵されており、必要なときにいつでも波形チェックが行えます。

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半導体テストシステム【MOS-FET, IGBT, DIODE】

CHTDV1030Z
CHTDV1030Z

CHTDV1030Zは、DC測定と熱抵抗測定を一回の測定で行える複合システムです。 測定プログラム上で、自由に測定アイテムを組み合わせることができるため、 デバイスの評価が一層効率的に行えます。

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半導体テストシステム【MOS-FET, IGBT, THYRISTOR, DIODE, ZENER DIODE】

CHTDV3010ZZ
CHTDV3010ZZ

CHTDV3010ZZはDC測定の印加能力が3000V/1000A、熱抵抗測定の印加能力が300Aと、 CHTDV1030Zよりも大きな印加能力を持っています。また30ピンのスキャナ機能を持ち、 多素子のデバイス測定にも対応しています。

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半導体テストシステム【TRANSISTOR, MOS-FET, IGBT, DIODE】

CHTH1010Z
CHTH1010ZZ

本テスターは、トランジスタ、MOS-FET、IGBT、ダイオードのDC特性を高電圧(9.99kV/2mA)、 大電流(999A)を用いて、高速且つ高精度で測定する自動測定器です。

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サージテスター【TRANSISTOR, DIODE】

SZD10T
SZD10T

SZD10Tはダイオードまたはサイリスタのサージ耐量を保証するシステムで、最大10,000Aの印加を可能としています。 その他、熱抵抗測定機能も装備しています。

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半導体テストシステム【MOS-FET, IGBT, THYRISTOR, DIODE】

CHT3012ZZ
CHT3012ZZ

パワー半導体用のDC測定テスターで、3kV-1200Aの印加能力を持っています。 写真の測定台はヒーターステージなっており200℃までの温度上昇が可能です。

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半導体テストシステム【MOS-FET, IGBT, DIODE】

CHT1050Z
CHT1050Z

CHT1050Zは多素子モジュール測定に対応した多ピンスキャナ内蔵のDCテスターです。 製品写真左側の治具ユニットにデバイスをセットし測定を行い、専用のアプリケーションソフトで通信を行い、 製品の情報や測定結果を表示します。

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波形検査テストシステム【IGBT】

WFT3000
WFT3000

IGBTの逆方向耐圧波形測定と3000Vのリーク電流を測定します。 写真の測定ヘッドは36ピンのプログラマブルスキャナ付きのシステムですが、 必要に応じた測定ヘッドに対応できます。

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製品情報


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