過渡熱抵抗テストシステム

  • 半導体内部の熱抵抗バランスを測定する高信頼性測定器。
  • 高輝度LED等 SiC 製品にも対応。
  • 豊富な経験と実績よりソフトウェアまで含めたシステムを提案します。

過渡熱抵抗測定器【TRANSISTOR, MOS-FET, DIODE】

DVN210
DVN210

トランジスタ、MOS-FET・ダイオードの過渡熱抵抗(θjc)をPNジャンクションの温度変化(ΔmV)として測定します。コンタクトチェックや発振検出機能が装備されています。

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過渡熱抵抗測定器【TRANSISTOR, MOS-FET, IGBT, DIODE】

DVFN240
DVFN240

DVFN240は熱抵抗テスターのスタンダードモデルで、世界中の多くの半導体工場や研究施設で使用されています。200V, 40Aで最大800Wの印加電力を持ちます。

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過渡熱抵抗測定器【TRANSISTOR, MOS-FET, IGBT, DIODE】

DVFN240BS
DVFN240BS

DVFN240BSはVF1とΔVFを0.1mV精度で測定可能な高精度熱抵抗テスターです。また、パワータイムは100Wで最大99.9secを持っています。

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過渡熱抵抗測定器【MOS-FET, MOS-FET, IGBT, DIODE】

DVFN1010Z
DVFN1010Z

従来より、研究開発部門や評価部門などで多く導入されてきた1000V, 100Aタイプのリニューアルモデルです。39.9A設定では999secの長時間印加が可能です。

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過渡熱抵抗測定器【TRANSISTOR, MOS-FET, IGBT, DIODE】

DVFN2050
DVFN2050

DVFN2050は最大印加電圧2000Vの性能を持つ熱抵抗測定器です。1200Wラインで999secの印加が可能でパワーデバイスの高電圧の熱的評価に最適です。

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過渡熱抵抗測定器【MOS-FET, IGBT, DIODE】

DVFN230Z
DVFN230Z

最大300A-20kV印加のパワーを持つハイパワーの熱抵抗テスターです。

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半導体安全動作領域テストシステム【IGBT, DIODE】

DDVF024ZZ
DDVF024ZZ

ダイオードの熱抵抗測定とIGBTのVCEON電圧を用いて熱抵抗測定を行い、2400Aまでの印加パワーを持っています。オプションの恒温槽をシステムに組み込むことにより、恒温槽の温度を自由に管理できるため、温度係数を求めたり、一定の周囲温度での熱抵抗測定を可能とします。

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大電力熱抵抗テストシステム【TRANSISTOR, IGBT, DIODE】

DVF540ZZGC
DVF540ZZGC

DVF540ZZGCは最大印加電流3600Aを持つ、大電力熱抵抗テスターです。この圧倒的なパワーエリアはパワーモジュールなどの電力用半導体の熱評価に最適です。

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LED過渡熱抵測定器【LED】

LDV-01D
LDV-01D

LDV-01DはLED専用の熱抵抗テスターで、VF1、ΔVFを0.2mV分解能でフロントに表示し、VP1、VP2は付属のソフトウェア上に表示できます。LED熱抵抗テスターのスタンダード機として多くのユーザーに使用されています。

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LED過渡熱抵測定器【LED】

LDV-02B
LDV-02B

LDV-02BはIF印加を2Aにアップしたモデルです。パワータイムは9,990sec、VFは最大32,000mVまでの測定で1mV分解能となります。

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LED過渡熱抵測定器【LED】

DVLE-D03
DVLE-D03

DVLE-D03は最大20素子までのLEDを切り替えて連続測定できます。パワータイムは9,990sec、VFは最大32,000mVまで表示します。

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GaAsパワーデバイス解析装置【GaAs-FET】

DGV-E10A
DGV-E10A

DGVシリーズはGaAs専用の熱抵抗テスターです。パワータイムは9.99sec、ΔVGSを0.1mV分解能で測定します。

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GaAsパワーデバイス解析装置【GaAs-FET】

DGV-J10
DGV-J10

DGV-J10はVD電圧を100Vにアップし、200Wまでの電力印加を可能とします。パワータイムは9.99sec、ΔVGSを0.1mV分解能で測定します。

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IPS熱抵抗/温度測定テストシステム【INTELLIGENT POWER SWITCH】

DVIPS-L30A
DVIPS-L30A

IPSにおける制御・駆動・熱変化・自己診断動作などの諸特性を高精度で測定します。

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