過渡熱抵抗テストシステム
【MOS-FET, IGBT, DIODE, GaN-FET】
THR1050Z は最大印加32kW の高出力仕様でパワーデバイスの熱解析システムとして最適のシステムです。MOS-FET、IGBT、ダイオードのほかGaN-FETの測定にも対応しています。熱電対を使用した温度検出機測定では400℃までの測定温度をソフトウェア上に表示します。
お電話はこちらから
0186-35-2102
※平日9:00~17:00まで受付
過渡熱抵抗テストシステム
【MOS-FET, IGBT, DIODE, GaN-FET】
THR1050Z は最大印加32kW の高出力仕様でパワーデバイスの熱解析システムとして最適のシステムです。MOS-FET、IGBT、ダイオードのほかGaN-FETの測定にも対応しています。熱電対を使用した温度検出機測定では400℃までの測定温度をソフトウェア上に表示します。
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